Nella tecnologia elettronica e dei semiconduttori, i principali vantaggi del SiC sono:
Elevata conduttività termica 120-270 W/mK
Basso coefficiente di dilatazione termica 4,0x10^-6/grado
Elevata densità di corrente massima
La combinazione di queste tre caratteristiche conferisce al SiC una conduttività elettrica superiore, soprattutto rispetto al silicio, il cugino più popolare del SiC. Le caratteristiche del materiale SiC lo rendono molto vantaggioso per applicazioni ad alta potenza dove sono richieste corrente elevata, temperatura elevata ed elevata conduttività termica.
Negli ultimi anni, il SiC è diventato un attore chiave nel settore dei semiconduttori, alimentando MOSFET, diodi Schottky e moduli di potenza da utilizzare in applicazioni ad alta potenza ed alta efficienza. Sebbene siano più costosi dei MOSFET al silicio, che in genere sono limitati a una tensione di rottura di 900 V, il SiC può raggiungere tensioni di soglia di quasi 10 kV.
Il SiC presenta inoltre perdite di commutazione molto basse e può supportare frequenze operative elevate, consentendogli di raggiungere un'efficienza oggi ineguagliata, soprattutto in applicazioni che funzionano a tensioni superiori a 600 volt. Se utilizzati correttamente, i dispositivi SiC- possono ridurre le perdite del convertitore e del sistema inverter di quasi il 50%, le dimensioni di - del 300% e il costo complessivo del sistema di - del 20%. Questa riduzione delle dimensioni complessive del sistema rende il SiC estremamente utile nelle applicazioni sensibili al peso e allo spazio.