Il metodo più semplice per produrre carburo di silicio prevede la fusione di sabbia silicea e carbonio, come il carbone, ad alte temperature, fino a 2.500 gradi Celsius. Versioni più scure e comuni di carburo di silicio contengono spesso impurità di ferro e carbonio, ma i cristalli di SiC puro sono incolori e si formano quando il carburo di silicio viene sublimato a 2.700 gradi Celsius. Dopo il riscaldamento, questi cristalli vengono depositati su grafite a una temperatura inferiore in un processo noto come metodo Lely.
Metodo Lely: In questo processo, un crogiolo di granito viene riscaldato a una temperatura molto elevata, solitamente per induzione, per sublimare la polvere di carburo di silicio. La barra di grafite a temperatura più bassa è in una miscela gassosa, consentendo al carburo di silicio puro di precipitare e formare cristalli.
Deposizione chimica da vapore: In alternativa, i produttori coltivano SiC cubico utilizzando la deposizione chimica da vapore, che è comunemente utilizzata nei processi di sintesi basati sul carbonio e viene utilizzata nell'industria dei semiconduttori. In questo metodo, una speciale miscela chimica di gas viene introdotta in un ambiente sotto vuoto e combinata prima di essere depositata su un substrato.
Entrambi i metodi di produzione di wafer di carburo di silicio richiedono enormi quantità di energia, attrezzature e conoscenze per avere successo.
