Nelle applicazioni elettroniche e dei semiconduttori, i principali vantaggi del SiC sono:
Elevata conduttività termica 120-270 W/mK
Basso coefficiente di dilatazione termica 4.0x10^-6/ grado
Elevata densità di corrente massima
La combinazione di queste tre caratteristiche conferisce al SiC una conduttività elettrica superiore, soprattutto se confrontata con il silicio, il cugino più popolare del SiC. Le caratteristiche del materiale del SiC lo rendono molto vantaggioso per applicazioni ad alta potenza in cui sono richieste alta corrente, alta temperatura e alta conduttività termica.
Negli ultimi anni, il SiC è diventato un elemento chiave nel settore dei semiconduttori, alimentando MOSFET, diodi Schottky e moduli di potenza per l'uso in applicazioni ad alta potenza e alte prestazioni. Sebbene siano più costosi dei MOSFET al silicio, che sono in genere limitati a una tensione di rottura di 900 V, il SiC consente una tensione di soglia di quasi 10 kV.
Il SiC ha anche perdite di commutazione molto basse e può mantenere alte frequenze operative, consentendogli di raggiungere un'efficienza senza pari fino ad oggi, specialmente in applicazioni che operano a tensioni superiori a 600 volt. Se applicati correttamente, i dispositivi SiC possono ridurre le perdite del sistema di convertitori e inverter di quasi il 50%, le dimensioni del 300% e il costo complessivo del sistema del 20%. Questa riduzione delle dimensioni complessive del sistema rende il SiC estremamente utile in applicazioni sensibili al peso e allo spazio.
